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2016中国平板显示学术会议文字直播(TFT器件及相关技术 9月23日)

发布时间:2016/9/23 8:58:57   编辑:中华液晶网
提要: 第二天分组报告,第一组 TFT器件及相关技术;第二组 OLED器件和技术;第三组 材料和装备;第四组 新型显示及触控技术。
广林达

 

    9月23日    第一组——TFT器件及相关技术文字实录

    主持人

    今天下午的会议到此结束,谢谢大家!

    深圳大学 李俊锋

    薄膜晶体管是显示器中的核心元件,目前的主流技术是SI基TFT,不论是什么都有一定的缺点,此外可见光驱不透明难以实现全透明的显示,而新一代的TFT技术以OLED为代表的非精半导体TFT,有着迁移力高等特点,目前处在高速发展的阶段。in资源苦法,Zn影响成膜质量,因此有必要开发其他的新型的IGZO体系。无论是氧化硅还是双绝缘层都不是我们比较理想的材料,因此我们考虑到另外一种就是铝酸镁,透过率高、漏电流小,绝缘性好,适合做AOS-TFT的栅绝缘层。为了更好地指导铝酸镁薄膜的优化工作,半导体器件的性质绝大部分取决于材料中的杂质和缺陷种类、浓度分布等性质的控制,因此我们将会研究含缺陷的铝酸镁的电学性能,而使用的研究方法是基于密度范围理论原理。
        首先我来介绍一下电性原理,只需要利用基本的物理常量进行计算,即可获得固体的许多基本物理性质。将多离子问题转化为单离子问题,由于该分层是电子之间的交换和相关效率。
        我们的研究方法是铝酸镁等轴晶系的尖晶石结构,O原子以立方秘排堆积排列,同时产生64个四面体间隙和32个八面体间隙。mg原子和A1原子按一定的规律分别占8个四面体。我们首先计算的是缺陷形成能,表现的是缺陷在体系中形成的难易程度,如果越小的话就说明缺陷在体系中更容易存在,我们不考虑缺陷影响的情况下分别计算了负氧条件下和缺氧情况下,结果表明在负氧情况下铝的形成最小。本征态铝酸镁禁带宽度为5.109eV。缺陷Vo的能带结构图中,带隙略有增加,导带能级数有所增加,禁带中出现一条新的杂质能级。缺陷Oi4的能带结构中,带隙减小,价带的能级数增加,导带底电子局域性变强。可以得出这样的结论,存在本正缺陷的铝酸镁仍然保持很好的绝缘性。从电荷布局分析可以看出不同轨道上的电路数情况,从变化分析我们可以分析出缺陷会对附近的原子产生的影响。
        本文利用利用基于密度泛含理论的第一性原理的方法对本征缺陷进行了研究,在不考虑缺陷电荷影响时,缺陷Oi4形成能最小,O-poor条件下,缺陷vo形成能最小。二是带缺陷vo的铝酸镁中,带隙略有增加,带隙中出现深能级,成为电子空穴对复合中心,总体保持良好的绝缘性。三是带缺陷铝酸镁中,带隙有所见效,价带能级数增加,导带底电子绝缘性增强,总体保持良好的绝缘性。四是原子的mulliken电荷布局表明,带缺陷vo的铝酸镁中,ve附近原子的共价作用增强;带缺陷oi4的铝酸镁中,附近原子的共价作用减弱。最后在本文基础上,可进一步对铝酸镁进行研究,也可进一步影响出它的影响力。谢谢!

    主持人

    下面有请深圳大学的李俊锋,他的题目是“MgA1204中本征缺陷的第一性原理研究”。

    北京大学 卢慧玲

    在340纳米左右,小于这个波长的都可以吸收。

    现场提问

    光探测器中,如果用这种材料做的话,它的主要细胞分支在哪里,中心波长是哪一块?

    北京大学 卢慧玲

    大家下午好,我的题目是“非晶氧化铟镁薄膜晶体管的光电特性研究”。我的研究背景,宽禁带氧化物薄膜晶体管用于大面积AMOLED和LCD显示中。二是在紫外线探测也有潜在的应用。最早研究的是紫外探测TFT,由于氧化锌它的浓度比较高,所以它对可见光的响应也是很大的,它对紫外光有很大的争议,但是像绿光和蓝光也有很大的响应,这样的话紫外可见光的抑制比就比较低,在探测的过程中就会受到可见光的干扰,所以紫外探测有源层的选取选取对可见光没有响应,其次对紫外光小于四百的有较大的响应。一般都是选取氧化铟或氧化镁,这些因素和氧的结合率比较强,右边这个图就是氧化锌掺加的薄膜透过率的曲线。通过加盘量不断的增加,对可见光的吸收也越来越少。镁有一个很低的标准,有负的2.37电子伏,这样和氧的结合能力比较强,也会使薄膜在氧中的能力降低。右边的这个图是随着镁含量的增加,透过率也是在发生蓝移,这个小图是最大宽度的提取,我们这篇文章选取的是镁含量掺杂量比较多的,大概在3.9的有源材料。
        下面是器件示意图及工艺流程,器件是采用栅电极的材料、栅电极图形化、栅介质、有源层、有源层图形化、源漏电极、源漏电极图形化、开栅孔、退火。在黑暗状况下和不同波长转移特性曲线的对比,可以看出在450纳米和400纳米的时候,响应是非常小的,尤其在观看的时候基本上没有响应,也就是说我们做出来的TFT,可以做到可见光盲。第二个随波长减少,光电流增加。第三和积累区相比,在耗尽区具有较高的噪音比。
        对于高灵敏度进行的分析,在氧空位俘获空穴电子具有较长的载流子寿命;空穴在源端积累使源端势垒降低,源端电子注入沟道。在原路电压和光生电流,随着源流电压是有良好的线性度,器件具有高的可探测度。较短的沟长更宜用做高灵敏度的紫外探测。TFT对可见光无响应,对紫外光具有较高的灵敏度,并且光电流随着电压具有良好的紫外度测。谢谢大家。

    主持人

    下面有请北京大学的卢慧玲

    福州大学 黄航

    大家下午好,我是来自福州大学的黄航,我的题目是“喷墨打印IGZOTFT中“咖啡环”效应的调控”。我分为以下四个方面进行说明。
        首先,TFT半导体材料对于非金桂、有机物来说具有较高的迁移率、可见光透明、柔性特点,所以在这些形式上都有广泛的应用。OLED薄膜的制备工艺主要有溶液法和真空法,真空法有磁控溅射、脉冲激光沉积、旋涂,另外喷墨打印法是目前研究比较热泪的薄膜制备技术,我们现在的印刷显示,也是印刷电子正在发展的技术。我们诗雅是应用的是压电式的,它是通过脉冲电压作用在压电陶瓷上,使得墨水能够从喷头中稳定的喷出,这种方法可以进行沉积。不需要进行光刻的复杂工作,另外也不适合大面积的沉默。另外材料的利用率更高,几乎没有浪费,但是在我们的喷墨打印中有一个咖啡环的效应。
        什么是咖啡环?首先产生的主要原因有两个,一个是墨可以打印在芯片上,它的接触线不会挥发。另外一个方面是液溶剂在墨的四周,它会从中心往边缘流,这就从中间向边上输送。等到这个液滴干燥的时候,就会在边上呈现出一圈咖啡环的效应,这是印刷显示中不希望出现的现象。
        在解决这些问题中,操作上比较复杂,有些还会带来杂质。通过改变基板的温度和墨水的浓度来改良,也不会引入到新的杂质,工艺也比较简单。我们实验的过程是首先进行芯片的处理,这个芯片是含有一百纳米氧化硅的硅片,进行墨水配制,这边是采用三种金属的硝酸盐或者是粗酸盐,形成透明稳定的墨水体系。然后对它进行喷墨打印,这是我们实验室的喷墨打印设备,这是它的操作界面,可以通过调节脉冲电压的参数使得墨水能够喷出来。最后再进行实验结果的分析和测试。
        现象我们看到的是通过改变基板温度打印出来的墨滴显微镜的图片,基本的温度是25摄氏度的温度,我们可以看到它的边上几乎没有咖啡环,但是这个薄膜的面积比较大,而且在测试的曲线中几乎看不到膜厚。随着温度的增加,都是在三十五摄氏度的时候出现了一些咖啡环,基本上再往上升的时候,咖啡环会更加的明显。而且薄膜四周的厚度和中间的厚度差也会越来越大,产生这种现象的一原因是当基本上温度降低的时候,它液滴边缘蒸发速率下降程度高于液滴中心。在我们的实验中三十五到四十五摄氏度的区间是比较合适的。
        然后我们采用四十摄氏度的温度进行墨水浓度的改变,从中可以看出当墨水温度比较小,0.37度每升的时候,它有一个非常明显的咖啡环,当墨水的温度增大到1.5的时候,我们可以看出基本没有咖啡环,从画面中可以看出这个薄膜还是比较均匀的。
        另外墨水及当墨水浓度增大的时候,表面张力增大得比较小,其中增大的是黏度的墨水特性。黏度的增大主要影响的是液滴中毛细流,会向边缘的毛细边缘减少,液滴中的溶质就不会运送到边缘,所以最后得到的薄膜就比较均匀。
        最后进行电解线路的测试,当墨水浓度比较小的时候,它的性能比较差,当墨水增大的时候,它的电流会增大,这是两个不同器件的具体参数。当墨水浓度增大的时候,器件的性能各方面的参数都有所提高,但是因为我们也是刚刚开始进行TFT,所以相比之前前面汇报的高性能TFT性能还有比较大的差距,所以我们还需要进行进一步的研究。
        基板温度降低,液滴边缘与中心蒸发速率相当。另外墨水浓度增大,阻碍了液滴中向外的毛溪流,两者结合就可以达到调控咖啡环的作用。其次墨水浓度增大,薄弱均匀性提高,厚度增加,载流子浓度增加,迁移率变大。谢谢大家。

    主持人

    下面有请福州大学黄航。

    中国电子科技集团公司第五十五所 赵丽

    对于窗口我们主要用两种屏蔽材料,一种是镀膜的屏蔽玻璃,它既起到反射的作用,又起到屏蔽的作用,它的RTO跟金属能够很好地搭接,另外一种是透明的金属丝网。

    现场提问

    结构屏蔽材料是什么样的?

    中国电子科技集团公司第五十五所 赵丽

    是的,它的前屏如果不做任何处理的话,后面的能量,通过小窗口是能够衍射出来的,我们衍射的能量非常低。

    现场提问

    管卡里面的卡可以起到很好的阻挡作用?

    中国电子科技集团公司第五十五所 赵丽

    我们基本上是金属外壳,屏是很大的开口,所有的电子能量主要是通过窗口往外辐射的,它的窗口如果不进行屏蔽的话,所以做屏蔽的时候要放在完全封闭的环境中,才能进行有效的处理。干扰源的大小是单独对各种的显示屏做的分析处理,有些图在相同的驱动下,不同的时间对干扰效果是不同的。

    现场提问

    有没有做过显示窗口向外辐射的能量跟管卡相比,哪个要大一些,他们之间的差异大概是什么?

    中国电子科技集团公司第五十五所 赵丽

    大家好,我的题目是“一种液晶显示器的电磁兼容设计”。作为液晶显示器,应具有高可靠性,能够在娱乐、工业、交通、教育等各个领域的各种复杂电磁环境下,正确地、不受干扰地工作。文章针对液晶显示器应满足的电磁兼容2要求,提出了液晶显示器的电磁兼容设计方案。液晶显示器的电磁兼容设计时,不仅要考虑液晶显示器与其他分系统能够正常工作,并具有不受其他设备的干扰,同时又不对其他设备产生影响,还要考虑雷电、静电放电等各种复杂电磁环境对液晶的影响。环境分析与设计要求,实验类别有雷电类、静电放电类、电磁兼容类。
        电磁兼容设计方案有三个,一是设计思想,二是电磁干扰抑制技术,三是明确液晶显示器的干扰源及初步处理措施。
        首先是设计思想有两个,首先我们要明确电磁干扰的原因及影响大小,二要采取相应的技术措施加以解决。电磁干扰抑制技术设置四个方面,滤波、设置浪涌保护期、设置静电保护期、液晶显示器、屏蔽和接地。在屏蔽和接地的这个技术当中对于干扰源和敏感源进行评比,能有效地抑制干烧。有意评比体自身阻抗较大,屏蔽材料应该采取铜、铝等。针对液晶显示器的结构,屏蔽机的电磁能量泄露途径归纳为显示窗口和缝隙。显示器口是电磁波泄露的主要途径,也是容易受到外部电磁波干扰的主要窗口。在液晶显示屏前负荷一层窗口屏蔽材料,以获得较完善的屏蔽。目前,根据屏蔽材料不同,显示窗口电磁屏蔽技术主要有两种,一是采用透明金属丝网玻璃和采用镀膜屏蔽玻璃。
        滤波的措施,在模块的各级电源输入和输出端设计有滤波电容,确保电源输出稳定性和可靠性。在电路设计时,旁路电容尽量靠近芯片,减少噪声。电源滤波安装在屏蔽体的电源入口处,并对电源滤波器加以屏蔽。
        设置电涌保护期,这是电子设备雷电防护中不可缺少的一种装置,常见的器件有充气放电管、压敏电、二极管等等。
        明确了上述的四个抑制措施,干扰源有以下几个方面,液晶显示平的TCON板和信号线、液晶显示屏的显示面、总控板的屏信号线、图像板的信号线、电源板,是用导电材料屏蔽,并且安装在金属壳屏蔽,金属壳材料选择铝合金。电源板的电源入口设置电涌保护装置,设置静电保护装置。以及电源线和信号线。
        采取上述措施之后及进行各项实验表明符合我们的指标要求,这是我们做的针对电源线的传导发射,红线是限制,蓝色的曲线是测试值,可以看到蓝线在红线下面是符合标准要求的,达到我们设计的预期指标,这是它的测试结果。实验证明上述措施是有效可行的,在实际应用中要注意镀膜屏蔽玻璃与外壳的导电搭接、电源滤波器的安装方式、才能使上述的作用有效发挥。谢谢大家!

    主持人

    下面有请中国电子科技集团公司第五十五所赵丽。

    北京大学信息工程学院 梁婷

    今天想跟大家分享近期的研究进展题目是“顶栅自对准a-IZO薄膜晶体管制备工艺研究”。
        近半个世纪以来信息技术不断地发展,影响着人们生活的方方面面,而作为信息技术的一个传播媒体,显示技术目前来说也有了巨大的发展,影响着人机交流的体验感受。驱动方式和显示技术都经过了很多的过程,作为有源显示的核心器件薄膜晶体管在其中发挥的作用是巨大的,特的发展在一定程度上直接影响着显示技术的发展。接下来的这幅度简单的介绍了一下薄膜晶体管的发展历程,从图中我们可以看到1930年第一个晶体管的发展拉开了薄膜晶体管的序幕,然而真正意义上第一个薄膜晶体管的诞生于1960年,自此以后硫化物、氧化锌、有机、硅机到现在的金属TFT有了巨大的发展,对于目前的金属氧化物TFT来讲,大家研究比较多的是a-IZO,随着高品质不断的发展,a-IZO能够满足需求,这个时候a-IZO具有良好的特性进入了人们的视野,也正是由于它具有好的特点,使得它所制造的a-IZO具有阈值较负、不易关断、关态电流大,这是我们研究的主要方面。除此之外为了降低我们器件的成本,减少器件制作工艺流程的复杂性,我们的薄膜晶体管结构的发展也经历了非常多的过程。图中上两种结构为顶栅结构,我主要介绍的是顶栅自对准,由于它自身的特点使得它能够工艺简单,有效见效寄生电容易于小型化,同时也是因为它的结构原因,使得在有源层生长结束之后我们容易对有源层产生影响,同时它的有源层也容易受到背光层的影响,从而成为现在亟待解决的主要问题,我们这次的实验就是基于a-IZO这个材料和顶栅自对准的结构进行的。
        接下来主要向大家介绍一下我们实验的内容和结果,如图所示是我们选择的顶栅自对准器件的示意图,从图中看出不管是从有源层的材料来讲以及它自身具有的特性,还是说从它的借给上来讲,a-IZO还是受栅介质,还是解决有源层这一层,能不能利用简单有效的办法,使得有源层得到更好的保护。我们顶栅生长的流程和普通的顶栅自对准相似,但是只是在有源层形成之后,对它进行了含O等离子的处理,形成之后进行氮等离子的处理,我们对结果和性能做出简单的测量。这个图是基本的电学性能,从图中左上角可以看到红色的是没有经过我们的含O等离子器件,这和a-IZO本身材料性质是有关的,并且可以看到它的电流非常大。但在我们经过含O等离子器件,就能呈现出比较好的开关特性。与此同时我们还对器件的输出特性做出测量,从输出特性可以看到,在小的时候没有出现明显的电流集聚效应。通过氮离子能够为TFT形成较好的联络。之后我们对器件的基本电学参数进行提取。
        我们对器件的IV和CV进行测量,可以看出鉴定性密度的特点,从公式可以看出鉴定密度是直接和曲线中的漂移量成正比的,从图中可以看到不管是IV还是CV曲线,几乎都不太出现飘移的态势,我们所制备的器件它的密度是非常小的,这也是我们SS比较好的主要原因。器件的NBS和PBS基本上都不出现飘移的态势,这些基本上都是我们现在所追求的高稳定性特点。这就是我今天想讲的关于我文章的一些内容。
        最后作个简单的小结,我们这次实验采用不一样的技术,一个是对有源层进行了含O等离子体处理,得到了较好开关特性和应力稳定性的器件。二是对源a-IZO进行了氮等离子的处理,得到了较好良好的器件源漏。其次是通过了本文方法制备的顶栅迁移率达到14.57,亚阈值斜率达到0.18。谢谢大家。

    主持人

    下面有请北京大学信息工程学院梁婷。

    北京大学 张晓东

    很荣幸来到这里跟大家分享我做的工作。首先是背景介绍,自从提出了IGZO提出之后,它具有很高的迁移率、高透过率、柔性。 
        我现在主要做的是ESL结构和BCE结构,从两种结构的比较来看,BCE它工艺简单,能够降低成本,但是在BCE过程中有些难点,以及钝化层会存在稳定方面的问题。左边的这个图是稳定性的研究,这个稳定性不仅仅跟栅介质有关,而且跟环境的影响都有关系。栅介质一般都是用二氧化硅或者氮化硅优质材料,对于优化二氧化硅栅介质的条件,对于提高器件的稳定性,是值得研究的课题。
        接下来介绍一下我的实验介绍,首先左边是一个BCE的的TFT器件结构示意图,这些工艺流程,首先是玻璃衬底,PCE生长过程中会有果敢的分压,接下来的有源层也是释放的蚀刻。最主要是生长过程的分压。含量比可以控制分压,大概在0.93、0.49、1.86的条件。
        接下来给大家看一下我们的结果和分析讨论,在不同的栅介质生长条件下,基本的曲线和条件不同。右图是一个测试可以看出,随着分压的增加,阈值增压有正向趋势,栅介质是拿样片测的,也是有一个下降的趋势。提取的特性及迁移率可以看出,随着压力的增大,特性有所变差,迁移率也是有所下降。可以看出当具备栅介质的过程中,薄膜扁平操纵是有所增大的,随着的增加,薄膜的增长速度也是有所增加的,在生长的过程中有可能会引入大量的氢,这个氢主要来源硅烷,如果硅烷分压增大,氢有是有可能增大。从AFM这个图中看出,表面粗糙度是增大的趋势,栅介质是先长,后面会有一个有源层,如果下面的层不好的话会对再生长的有源层提供不了平整的表面。可以看得出如果下面的这个介质表面粗糙度越大,有可能会引起更多的缺陷。
        当升级的电压从20伏扫到30伏,这个迟滞现象不仅仅与栅介质界面有关,考虑到测试的环境是相同的,可以认为是界面占主导的作用,可以发现器件的效果更下。
        对稳定性方面做了测试,所有的条件都是在真空的环境下测试的,所以就要排除环境下的影响低硅烷分压下制备的器件,在PBS下阈值电压漂移量更小。低硅烷分压制备的器件,有更好的界面态以及更低的陷阱态密度,从而有较好的稳定性。
        最后是总结,本文研究了硅烷分压对器件特性及稳定性的影响,结论是通过降低硅烷分压,器件能获得更陡的亚阈值摆幅和更大的迁移率。低硅烷分压下,薄膜表面粗糙度低,在PBS下阈值电压漂移量更小,可能得益于更低的栅介质和有源层界面态密度。谢谢。

    主持人

    下面有请北京大学张晓东。

    深圳市华星光电技术有限公司工程师周星宇

    有,所以要蚀刻掉,达到比较合适的厚度。我们通过工艺的萃取,可以保证没有。

    主持人

    我们掺杂的物质有没有渗透的可能性?

    深圳市华星光电技术有限公司工程师周星宇

    大家好,我的题目是“新型固相晶化法制备多晶硅薄膜晶体管及其性能优化”。固相晶化是有别于ELA的一种多晶硅化技术,指通过使固态下的非晶硅薄膜的硅原子被激活、充足,使非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜的晶化技术。但结晶过程时间较长,为了量产通常会将结晶温度升高。
        和传统的技术比,我们新型的固相晶化技术可以使最短的时间内成为多晶硅膜,我们的方法是可以在比较短的时间内使得薄膜完全结晶。
        这个技术的关键点是在TFT制成之前,与我们传统的制作是一样的,流程主要包括成晶,粒子的掺杂,然后是结晶,去掉掺杂,等等。在我们这个方法中有以下几个关键的制成对它的影响比较大,三个因素影响着结晶的比例和速率。因为牵涉到蚀刻,就有一个蚀刻均匀性的问题,以及最后离子掺杂的问题。华星自主开发的技术迁移率达到50%,在非金属诱导的结晶技术中,固相晶化的性能是最好的。IDW2015我们在国际上首次报道了这项新技术,目前已经申请了相关专利19篇,我们在不断的完善提高它。对于不断的完善首先第一步我们对这个SPC结晶工艺的改善,最主要是两方面的改善,其实我们还做了别的方面比较小的改善,第一是掺杂了改善的条件,我们以A和B的方式来改善,A是改善以前的,加入了一定的时间,结晶率不是很高,如果改善它的掺杂条件,在相同的结晶时间内,它的结晶率可以更高,并且我们可以认为它达到了完全结晶的状态,需要的时间就更少。第二个改善规模的整体条件,我们通过了反复的萃取,比如对比改善前后的条件,可以发现不光可以把完全结晶所需要的温度降下来,也可以把时间缩短,这两个都是很不容易的。目前的工艺也是可以在650摄氏度推广15分钟就可以完成完全结晶。
        改善结晶的工艺,降低了完全结晶所需要的温度和时间,它其实就是节省了成本,也保证了质量。从我们在改善之后,我们制作的这个情节接触比较好。漏电的降低主要归结于多晶硅薄膜内部缺陷的减少,是的载流子传输更为顺畅,也减少了漏电的路径。另一方面是可靠性的改善,薄膜结晶品质的提升,可以改善电信,而且一定程度上改善了可靠性。结晶质量改善的情况下,如果改善结晶工艺,它的薄膜结晶质量变好以后,它甚至可以改善到2.5伏,但是这个值还是很大,我们不是很满意。接下来就是怎么样提高我们方法的可靠性,我们发现其实这两种方法是不太一样的,我们又做了大量的工作改善它的可靠性。主要包括三个方面,GI沉积前我们做了一些改善,另外调节GI的沉积条件。这是改善以后的测试图,从数据看出我们关注的PPTS由改善前到改善后的2.5伏,优化以后可以达到一伏,另外是NBTS虽然不是很多,但也有一定的改善,这都在一伏以内,达到了比较好的可靠性。
        我们采用了顶发光的结构,2T1C电路驱动,NTFT作为开关TFT,PTFT作为OLED的驱动TFT。对于这项技术我们进一步的开发,既然做成了这样的技术,它与我们目前8.5代线的兼容性更好,这个技术我们是刚刚在研发之中,只是做出来一个电信,它的器件性能还不是很好,有待于进一步的优化。
        最后把OLED面板删除,我们得出的对比,我们的技术具有均匀性好,适用于大尺寸,可以制作CMOS,电性可靠性优良等优点。它的工艺可以更容易实现窄面框,未来将用在量产上,需要进一步的降低它的温度,优化器件的性能,使它成为一种高性能、低成本的技术。谢谢大家。

    主持人

    下面有请深圳市华星光电技术有限公司工程师周星宇,有请。

    台湾应用材料台南显示器研发实验室主席 林宛瑜

    给不同氧含量以后,我没有量过,其实没有差别,最后量出来的IS是没有大的差别的。

    现场提问

    我们在银做ITO,加入氧气以后,银会不会氧化?

    台湾应用材料台南显示器研发实验室主席 林宛瑜

    这部分我还没有深入讨论过,没有办法回答。

    现场提问

    怎么一次蚀刻完?

    台湾应用材料台南显示器研发实验室主席 林宛瑜

    因为我们不是蚀刻的专家,我们自己是手动式的做蚀刻,没有这些蚀刻的设备,我们只是做一个标准的测试。

    现场提问

    ITO怎么蚀刻的?

    台湾应用材料台南显示器研发实验室主席 林宛瑜

    低的含量下很难结合成水气,再形成表现。

    现场提问

    氢和氧难道不会起反应吗?

    台湾应用材料台南显示器研发实验室主席 林宛瑜

    比较厚的ITO我们才会加氢,让它比较好蚀刻。

    现场提问

    如果用这个理论推算的话,是否所有的氧化物都可以加氢。

    台湾应用材料台南显示器研发实验室主席 林宛瑜

    大家好,我代表台湾应用材料跟大家讲解我们的科研成果。
        发射层第一个状况会反射,第二个会穿透,反射的光是我们希望要的,如果是一个穿透的状况,就可以顺利的达到这层表面,银的反射面也是特别的高,这也是我们很希望的状态,希望可以顺利的穿透,然后达到我们的表面,我们不希望的是什么呢,在这个ITO里面传导的时候及可以被ITO吸收掉,可以减少我们最终反射出来的光。所以在这个结构里可以减少吸收的程度,这就是我要提到的是如何做到同时可以让反射率最高,最大化,又同时可以保护银不会被氧化。
        我们之前是使用的平面板,在2014年的时候所有的PB全部转换成旋转板,旋转板的差异在哪里,我们搭载的58个系统用我们家的旋转板材,目前使用的材料都有旋转板的提供。
        旋转板这边是一个板材,材料会不停的旋转。平面板是一个大块的板材,后面是有磁铁会不停的移动,控制它的速度跟效果。我们可以看到这个磁铁其实它是有间断的,旁边是边界,边界跟中间会有不一样的表现,所以在边上的部分消耗的能量会比较低,所以最后会有凹进去的状况,最后的板材使用率也会比较好。旋转本是一个连续的状况,没有开头跟结尾。所以它的消耗是一个非常均匀的消耗,它会最后一样很均匀的,最后慢慢的变瘦,但是还是圆柱的状况。旋转板从头到尾都是非常干净的。旋转板是很均匀的消耗,所以从头到尾都是相对比较稳定的状态。
        另外一个优点是磁铁在旋转板中也可以控制,所以我们控制这些旋转板的磁铁来达到比较均匀的状况,另外我们把跟把之间是有缝隙的,所以气体可以比较均匀地流动,如果气体不均匀的话,反映当然不会均匀。这边还有的是刚刚说到的平面板比较容易发生状况,旋转板是不会有的。
        我们使用板材到不同程度的状况,大家可以看到这四个数据,可以看到板才从头到尾都是维持一样的洁净度。加上一些磁铁的作用会有不同的规模方式,这都可以在我们家很容易的操作。另外因为我们是圆柱状的,可以轻易地移到后方,这个好处是如果你是整个舱体的状况,也可以维持。当然我们可以用不同的角度,来控制不一样的效果。
        ITO的特性有多好呢,一般ITO分两种制成,一种是水制成,一种是氢氧制成,氢它是一个干扰因子,让ITO比较不容易结晶,最后比较容易蚀刻。氧是容易遗漏到养原子,我们可以让它比较完整。氢跟氧制成可以很顺利的分别控制氢跟氧的含量,但是如果是用水的话,这个比例就一定是二比一,不会有其他的比例,气体的矿可以用一般的气体MFC来控制,如果用水气的话是相对比较难控制的气体,要用特殊的零件再来控制这个水气地所以我们建议使用氢跟氧的制成,最后做出来的膜比较好控制,而且比较均匀。如果我们加了一些氢气的话残留就没有,同时因为我们家的氧气是固定的,所以最后的RS,构造电阻的表现还是非常的均匀,不管你加多少的氢含量,都会维持均匀的状态。同时这边是穿透率的表现,穿透率的表现也是很均匀,因为我们给的氧是一样的。
        回到我们的光学特性,因为我们需要的是光学特性,刚刚有讲到在ITO反射穿透都是好的光,所以就把穿透跟反射的光全部加在一起,使用不同的氢含量和氧,我们可以看到客户有不同的要求需要的氧含量是不一样的,最后都可以达到好的效果,如果可以控制氢和氧的含量,都可以达到非常好的穿透和反射值。
        这是另外一个例子,我们做了两个不同氢含量的例子,在没有氢含量的时候,ITO的吸收率降低得比较快,在最佳化状态的时候,它不管是刚做完膜还是怎样,差异都会非常的小,最佳化状态的时候几乎没有吸收了,也就是说如果把这层膜度在上面,它的穿透加反而会接近百分之百的状态。另外我们也要提到我们的膜是可以做到非常均匀的,尤其在磨膜的时候,均匀度是很难控制的,因为我们会有很稳定的表现,所以我们的膜厚表现会相当好,穿透率的表现也是非常的好。
        最后告诉大家的是我们完成的表现,在完成前要跟大家说为什么要加ITO,我们有一个样品,度膜之后马上要量出来,过一个周末再量一次,不管是所有的波长,全部的反射率统统下降,很明显的显示出它的膜产生变化,而且它的表面有一些东西让它的反射率变得不好。当然不希望显示器用了一阵子光是越来越弱,到最后没有光了。另外一个例子是不同的温度下都会起雾,这是营养化,没有好好保护它的话反射率会降低,而且高度会增加。
        所以我们又做了一个试验机,不同ITO的厚度可以看到起雾,其实可以大量地减低,不同的ITO一样可以抑制起雾。我们不止可以拿去放几天,另外还有一个比较破坏性的测试,我们把撒了一些盐水在上面,然后再拿去毁,这是最强烈的破坏方式。紫色线表示是用盐水泼过,紫色虚线的部分是盐水泼过再损毁的状态,第一个没有度ITO的膜量不出来。因为ITO膜厚的不同,当一个ITO大之后的稳定和表现都是一样的,就会有非常好的保护,不会被氧化。因为我们的ITO最佳化之后,吸收度会降到最低,我们不同的养含量都是比较低的,最终的反射度是比较好的状况,调到比较好的状况,之间的差距也是比较小的。
        我们不止有做ITO的研究,还有探讨说怎么样最薄的银可以达到最好的效果,业绩的要求在94%以上的反射率这是他们需要的,我们可以看到我们银的厚度在80纳米的时候,可以超过94%的。到一千以上达到饱和,再加上一个厚度就没有意义了,因为它已经达到最大值了。
        ITO膜氢跟氧好好地控制就可以达到最佳化,反射率也是超过业界的标准,我们的膜因为是很均匀的关系,达到八百就可以超过要求。我们可以做出不同磁铁的控制,得到比较均匀的膜。ITO可以分别控制氢和氧,最后得到比较均匀的膜,比较低的吸收率。最后可以让银受到保护,反射率也可以在大于80的时候,达到符合业界标准的反射率,其实我们也超过业界表现。谢谢。

    主持人

    下面有请台湾应用材料台南显示器研发实验室的林宛瑜主席。

    群智咨询 陈丽娟

    从一七年来看比重维持在20%到25的水平,因为产能没有增加,所以它真正贡献到市场的量还没有办法增加,LTBS提升到40%的水平。

    主持人

    欧盟类的市场份额的比重变化是什么样的?

     

    群智咨询 陈丽娟

          首先讲一个比较接地气的话题跟大家开场,今天想要分享的话题是关于手机涨价的话题,我想大家都知道今年整个面板行业,手机涨价的声音不绝于耳,那么涨价到底能持续多长时间,下面由我给大家带来解读。 那么在正式进入报告之前我先给大家展示一组数据,这组数据是五寸面板的价格,从去年年底到今年二季度,整个涨价的趋势非常明显,相比年初现在五寸价格基本翻倍,在三季度整个涨幅也是不断在推高,那么这就是现在目前面板涨价的大致情况,接下来我再通过对市场的回顾,对这次涨价的原因分析,来最终判断这次涨价最会维持到什么时候。 首先回顾市场,我们站在宏观的角度先看一下,因为经济是大前提,根据国际货币基金组织的预测今年整个全球经济维持低速增长,分区域来看,欧美发达国家整个经济复苏的形成是比较缓慢的,新兴市场及发展中地区,尤其是亚洲的新兴市场和发展中国家,以中国、印度为代表,整个经济增速是高于世界水平,但是结合中国实际的国情来看,虽然说它的GDP增速比整个世界水平要高,目前整个中国经济很大一部分还是房地产在拉动,实体经济没有得到很好的改善。 接下来我们再看拉美地区,尤其像巴西,整个经济是呈现负增长的状态,根据对手机市场出货的数量追踪发现在拉美地区布局比较多的手机品牌,也确实因为受到了经济环境的影响,整个销量出现了很大的下滑,所以我们说整个经济的情况在一定程度上也反映了整个产业的发展趋势。所以从整个全球经济的低速增长的状态判断,经济的低速增长没有办法支撑整个手机市场的快速增长,接下来我们看具体数据,果不其然根据全球智能手机出货的数据显示,今年上半年全球智能手机出货仅5%的同比增长,接下来我们刚刚也有讲到中国的部分,中国智能手机整个在今年上半年是实现了接近15%以上的同比增长,刚刚有提到中国的经济状况实体经济还没有特别好转,那为什么今年的中国智能手机可以成长这么快呢,我们也来分析一下它的原因。 首先给大家展示的这组数据是中国4G移动用户渗透率的走势图,我们可以看到从一五年年底整个4G用户的渗透率只有30%,到了今年上半年整个4G用户的渗透率达到45%,我们预测今年4G用户的渗透率将提升到60%以上。从一五年开始4G的用户量在加速增长,2G、3G的用户量一直在下降,更多的2G和3G的用户正在转换到4G。这就会带来一部分的市场需求,因为原本使用2G和3G的用户在转换到4G的过程当中,因为以前的手机可能没有办法支持到4G的功能,所以就带来中国智能手机成长这么快速的推动力。所以我们也就可以看到在现在智能手机相对饱和的情况下,未来的需求主要就来源于更新换代的需求,根据我们的测算一六年应该大概有四亿的手机是来自于更新换代需求,已经超过了总体需求的80%以上。 每家品牌的表现,今年OPPO、Vivo市场预期非常好,我们在总结今年它为什么得到这么大的成长,刚刚前面有一点没有讲到一五年和一六年4G用户在不断的增加,一五年三大运营商在推动4G转换的过程主要从大城市开始,一二线大城市的用户数是第一批,一六年在整个运营商补贴政策的环境下,三四五线城市的4G用户也开始快速的上升,那么在三四五线城市整个渠道优势最明显的就是OPPO和Vivo,人们的主要行为是去实体店。在这样4G大转变的环境下,oppo在渠道优势的影响下实现了超预期爆发式的成长。到今年二季度整个市场占有率超过了25%以上,同时比较弱的品牌也出现了一定程度的下滑,比如小米、联想、酷派,他们的比重都是在降低的。 我们现在看一下涨价的原因分析,这次涨价主要是缺货,为什么缺货,我们总结了几个主要的原因,首先是CPD在去年年底关闭了一条4.5代线,每个月向市场供应5寸的产品在三到四百万片,去年年底三星关掉了一条5代线,原本是没有做手机的产品,但是关掉以后影响到原本的订单需求转移到其他的面板厂,会导致其他面板厂手机产能受到挤压,这个部分第四代线的关闭是导致供给减少最主要的原因,同时面板厂也在积极寻求产品升级。比如说做产品一线产品,那么这些产品相对于以前产品的难度更高,损失更大,对产能也是损耗。今年年初台湾又发生了一次地震,当时也受到了一个季度的影响。同时面板厂也在调整一些策略,收缩对外资源的释放,所有的这些原因导致整个面板市场产能减少。 接下来再继续从生产的角度来看,从一六年来看,整个终端的生产量也是呈高速的增长,尤其到了第二季度,整个生产量已经同比超过30%,那么在这种缺货的前提下,加上前面讲到的oppo、vivo超预期的增长,对供应量的增量,使得供应量的供货节奏打乱,品牌终端加大了面板的采购量,扩大了生产需求,加速生产和提前生产的特征非常明显。所以当终端放大自己的需求,就会出现缺货的缺口越来越大,从而也推动了手机面板的涨价还在加速上涨。 那么这两个数据直观地对比一下,生产量和出货量,首先给大家的概念是中国大陆手机的生产量占到全球手机生产量90%以上,包括其他的海外品牌。很大一部分都是在中国这边生产的,所以从中国大陆手机生产量的数据来看,今年上半年整个大陆手机生产量的同比增加是达到了42%,但是我们再来看蓝色的这个柱子,这个是全球手机出货量的数据,今年上半年来看,全球手机出货仅实现了2%的增长,目前手机生产已经大幅高于整个终端的出货。这就代表着从终端的角度来讲,整个库存位较高。从需求面来看的话今年全球手机出货量大概会在20亿,跟去年是持平的。全球智能手机的出货预计在14亿,同比增长5.3%,即使在中国有运营商4G补贴的推动来看,它的同比增长也只有9.2%,这样的一个手机出货速度是没有办法支撑刚刚讲到的手机生产量的快速增长,所以我们非常担心到了第四季度整个终端的库存水位太高。 这里我们做了一个供需比的分析,三季度是内外销被迫,整个市场的热度还在持续,到了四季度生产量大幅高于出货的情况下,我们要警惕四季度整个终端获得积极性会转弱,需求下行的风险会变高,那么这个时候整个供需关系就会发生变化,供需会趋缓,这个时候手机面板的价格也有可能出现一定的松动,当然这个是从整体的供给和需求来看这个市场。分技术来讲整个全球的产能在持续收缩的,所以我们判断供需偏紧还会继续维持到明年上半年。LTBS的部分因为有很多新线在今年四季度实现量产,天马的六代线等,这都是新的LTBS的产能,一旦释放整个市场的资源就会变得宽松。从整个大的状况来看,最后我们认为是LTPS因为新线产能的释放,可能会影响整个供需关系发生一定的变化。谢谢。

    主持人

    下午会议继续进行,首先请陈丽娟上台演讲。

    主持人

    今天上午的报告到这里就结束了,首先感谢各位报告人给我们带来的精彩内容,让我们互相交流学习。今天我们能有这样的便利生活,便利地做任何事情,最重要的因素不是得益于通讯,也不是得益于软件,而是得益于我们面板的技术,如果没有今天面板技术的发展,也就没有今天的电子生活。谢谢大家!

    中国电子科技集团公司第五十五所 张白雪

    这是做的矫正,从八位转成十位,然后最后测的时候也会从内部调这个值的大小。

    现场提问

    数据信号是八位的,DAC是十位的。

    中国电子科技集团公司第五十五所 张白雪

    这个输入接口采用的是数字输入接口,是0到8的数据输入接口,内部采用DAC,转成了模拟的信号,这个DAC电压通过内部的接受器来产生,通过这个比较的结果产生电压是0,然后再输入到相同中去,如果是FF,输入的电压是最大值,最大值传到箱体。

    现场提问

    这个系统大概是怎样的算法,怎么检测,怎么存储,怎么驱动?

    中国电子科技集团公司第五十五所 张白雪

    大家好,我是来自南京五十五所的张白雪。OLED微显示技术是以单晶硅作为有源驱动背板,然后蒸镀有机材料完成二机发光二极管阵列的制备,最后结合薄膜封装技术形成的新型显示器。主要应用在头盔,商用的智能眼镜和个人娱乐的东西。
        我们这一款驱动芯片主要的架构是分为八位数据的既有输入降低频率,内置三路电源。我们第一个模块是输入数据的分离,分为奇偶两部,可以实现数据的同步。还有像素电路,采用的电压型像素电路。还有一个是数据采样与比较的结构,右边是整体电路的架构,比较新模块,DAC的电压就会存储到像素的电路中去。
        下面是行列驱动,都是一些基本的电路达成的,右边是一个仿真的电路。还有是十位DAC的设计,内部集成了DA,采用的是6+4的分段结构,低4位用二进制位权结构DAC,高6位用温度计解码结构,使整个系统在性能和面积上能取得一个的平衡。
        12C可以显示调节和显示的位置,这是硅基OLED驱动芯片整体仿真,在第一行的时间我们进行数据的比较,第二行的时间输入电流。
        这是整体芯片的版图结构,中间是像素的阵列,上下是列驱动,旁边是行驱动,一些温度检测的模块。这个版图在工厂加工完以后,在上面制作出OR器件,最后输入器件发光,产生一个微显示器。
        最后总结一下我们芯片的结果,尺寸是0.96英寸,像素是14微米,分辨率1440-1060。电压是1.8伏5浮。均匀性是大于85%,最大时频率是121兆。谢谢。

    主持人

    下面有请中国电子科技集团公司第五十五所张白雪,她的题目是《一种高分辨率硅基OLED驱动芯》。

    武汉华星光电技术有限公司 杨跃虎

    不一样,这里面我们也注意到其他方案的原则,实际上我们可以大概地讲一下,苹果是互溶式的,有发射极、接收极。干扰主要是持续的分时的问题,如果可以把延迟效益降到最低,它的干扰度就会越小,这个和RC的降低是一样的,我们也考虑到CR的降低会牺牲到很多,对于工厂来讲要考虑成本方面的因素。

    现场提问

    驱动和小米手机的驱动方式是一样的吗?

    武汉华星光电技术有限公司 杨跃虎

    首先来简单地介绍一下fullin-cedl简介,针对现有的一些手机进行数据上的比对,针对性能化来看目前可以赶超各个系统。
        下面介绍一下层次结构,我们外部TP结构厚度上是差不多的,但是针对于强度化受影响会降低强度。fullin-cedl最大的优势是到了TFT层,对于客户的结构设计是非常简单的。
        触控性能的考量,噪音比是信号与噪声的比例,线性度是划线动作与实际响影的一致性。触控性能不仅跟RC有关,我们作为面板厂更多的是放在触控性能的设计。在这个环节列出目前比较常见的层次结构,在这里最关键的层次是m3,这里我们会对m3的膜厚进行分析。
        经过大量的数据测试,膜厚对性价比的影响可以看到,减少BITO和M3之间的电容和减小M3电阻有助于提高SNR。对于M3电阻的影响,可以看到并没有电容影响那么大。针对触控性能线性度、灵敏度都选用一些图形来作为参考,我们对数据进行测量后发现具有对比性能,对比组条件膜厚的逐渐降低,电容就逐渐增加,线性度逐渐变差。对于灵敏度我们看到目前的灵敏度表现得并不明显,现在都可以达到三到七的涵盖。抖动也是呈现相同的趋势,主要是抖动它都是有一点距离和划线距离的偏差。精准度也是同样的趋势。
        接下来我们就探讨尺寸对TP性能的影响,目前针对中小尺寸有研究,我们制定出常见尺寸规格的方案,尺寸从4毫米到4.5毫米左右,到接近5毫米。基本的参与就没有那么大了,对于线性度和精准度的影响是有趋势的,随着尺寸逐渐变大,其对应的线性度逐渐变差。尺寸越小,线性度越好。灵敏度的影响也是同样没有太大的影响,三种方案都可以看出差不多。抖动精准度也是相同的趋势,随着尺寸逐渐变大,对应的抖动偏差会越来越差。
        这样的话接下来我们就要总结,我们可以看到前面膜厚增加,成膜时间从而降低产能。尺寸减小,接触通道越多,价格越昂贵。谢谢。

    主持人

    TFT和有源层的材料是至关重要的,但是和器件的结构也很重要,比如说沟道的宽高比,或者在有缘层和绝缘层的关系等等,有些没有告诉我们这个器件的具体结构。比如说开关比和器件结构是有大关系的,不光是决定有缘层,因为器件的结构沟道的宽高比都会影响到漏电流,漏电流的大小直接影响好坏。可能因为没有更详细的资料,讨论起来也许会有一些困难。有请武汉华星光电技术有限公司的杨跃虎,他的题目是《内嵌式接触技术Sensor最佳设计方案》,有请。

    北京大学董俊辰

    我也做过薄膜发光光谱,氧化锌的光峰值比较低,光也比较大。铝锌氧掺入到氧化锌之后,上升的斜率比氧化锌要高,但是掺上钆之后斜率更高,荧光光谱也是在实验室下做出的。

    现场提问

    氧化精掺杂之后荧光还那么好吗?正常来说氧化锌的缺陷非常多,因为不是单晶,但是从我看出是非常好的设备做出来的单晶氧化锌?

    北京大学董俊辰

    夏普和LCDL两个公司合作,具体来说现在很难界定到底是结晶还是非晶,因为它在电镜上看是呈具有结晶的,但是在测LRD结晶又不是很明显,所以现在很难界定,而且它的一致性又很好。

    现场提问

    钆是多晶态的结构,有没有对比过复活氧化物,多晶态好还是非晶态好?

    北京大学董俊辰

    如果说钆加入铝锌氧体系,对LRD没有影响,证明没有掺进去。但是我们加入进去是黑晶的。

    现场提问

    现在材料是掺杂的还是混合的状态?

    北京大学董俊辰

    按照原子比是氧化钆占1.5左右,勇于的铝和锌相对来说都是比较低的。

    现场提问

    钆这个金属怎么样?

    北京大学董俊辰

    我将从四个方面对研究内容进行阐述,首先是研究背景。
        以下四幅图是我找一五年各厂商找到OLED的显示成绩,分别是京东方和三星的镜面显示和透明显示以及LG的壁纸显示。我们可以畅想一下透明显示,将来我们的写字公司可以给可以养鱼的客户提供一种产品,这样可以节省空间又美观时尚,并且可以给客户带来更好的用户体验。所以我们认为OLED的现时是非常有市场前景的。
        OLED所研究的薄膜晶体管,在像素电路中起到驱动OLED发光的作用,那OLED对晶体管的性能又有较高的要求。薄膜晶体管到目前为止有哪些进展,我们可以看到上面这张图是比较有代表性的,几种薄膜晶体管的年代图,首先薄膜晶体管是PRD生长的,器件性能虽然好,但是有一个限制,就是生长的面积比较小,所以大家就想有没有可能制造出非晶的,这样可以做到最大,也可以降低成本,至此非精晶体管成为我们研究的热点。薄膜晶体管它在保证了较高的可靠性。从前面的总结可以看出Gd-AZO是原子半径大,提高迁移率,抑制晶体。那么能不能找到一种新的材料来代替,可以看到随着含量的增加。随着+的含量增多,它的电流也逐渐增大。
        后面我们对薄膜和器件进行了表彰,首先是薄膜表彰,这幅图是对薄膜光学的表彰,左上角这个表彰的透过率,可以看见在范围内薄膜的透过率超过80%,从右边可以看出薄膜的光致发光谱位置在405纳米,可以计算出它的宽度属于宽晶段。综合这两张图可以看到,这个钆铝锌氧变化可以看出材料是非晶的结构,通过常规线和我们自己做的实验,观察到钆铝锌薄膜材料是多晶的结构,钆的参数有效的移植了铝锌结晶的趋势,非晶的有源层可以移植高的一致性。下面这两张图可以看出原子力显微镜作出的是0.45纳米,这个是比较小的。右边的这张图是扫描电子显微镜,采用的是放大倍数的方法,我们也很难看到薄膜的晶界,所以这两张图首先我们的晶界是非常小的,也就是与前面非晶结构相对应,这两张图表面比较平整,平整的表面有利于降低。以上表彰可以看出钆铝锌是可以做晶体管源层。之后是对器件表彰的两张图,左边的是器件的特性,器件的输出不明显,它存在非常明显的饱和趋势,并不存在电压拥挤的情况,所以总体来看器件还是有希望用于像素电路的驱动。
        我们还将我们的器件用于玻璃衬底,北京大学来看玻璃的衬底的直径都是两寸,黑框的地方是铝,用于对准的结构。整体来看它的透过率是很高的。右边这张图是透过率的表彰,透过率是非常高的,晶体管的透过率几乎达到了98%。可以说我们钆铝锌薄膜晶体管有希望用于透明电路。这两张图它的在转移特性当中器件有很好的作用,与薄膜的非晶特性向户型。输出特性仍然体现不出增强性,但是在高端电压交接的时候存在拥挤。这个是我们最初做出的,我们后面将会进行优化,争取让它的性能达到更好的曲线。这就是我们整体的内容。
        最后是我们的总结,薄膜的光学特性、微观结构和表面情况表明钆铝锌薄膜晶体管可作为氧化物薄膜晶体管的半导体源层。转移、输出曲线显示钆铝锌薄膜晶体管作为苏电动器件的潜力。玻璃衬底的钆铝锌薄膜晶体管,器件可用于透明显示。谢谢。

    主持人

    随着OLED技术不断的发展,在显示领域中国是走在前面的,只有三个国家四个地区来做这个面板产业,也就是在这个时候才真正的掌握了技术。下面有请北京大学董俊辰,他的题目是《个性能钆铝锌氧薄膜精体管的制备》,有请。

    上海中杭光电子有限公司朱雪婧

    大家好,对于高分辨率的产品来说,有机物膜层能够起到更好的显示效果,对于有机物膜层来说,它是一种正性光刻胶,对某些溶剂是不可溶的,经王找后变成可溶物质的即为正性胶。负性光刻胶,主要对于光照后形成不可溶物质的是负性胶。在相同的时间内,根据光照的不同,它的效果也是不一样的,针对这个原理,我们对于有机物膜层进行了不同的设计。
        对于A图来说是单独的一个段差,B是有一个尖角的图案,CDEF是开一条槽和两条槽、三条槽的不同。开三条槽能得到比较短的坡度,四条槽的坡度要稍微大一点,在这个结构上对于开三条槽有了进一步的优化。在这里主要是调整了这三条槽的间距,分别从一个等间距到负间距,每个间距的差异进行优化,对于每个优化的项目图片可以看出,对于等间距来说,它是有不太平缓的情况,对于第一个设计来说,它的坡度在25度,是有一点大的。目前这个数字可以看出,对于E3的设计是比较好的,对于这个来说,我们在正常掩模板光栅设计的优化,E3方案是开了三条槽的,可以看出来,对于A方案是有影响的,这样会容易导致上层图层的短路,如果两条槽在一起是有显示异常的。
        我们的研究来说当掩模板光栅设计成三条光栅时,具有比较好的坡度。当三条光栅距离有机膜段差处的线宽、线距依次为0.8、1.2、1.0、1.0、1.2、0.8的坡度最优,仅有13.18。谢谢大家。

    主持人

    FED中最难做的是发射电极,因为我们希望它有电子发射,它的原理是电子冲击荧光粉得到发光,那么以前试过很多各种各样的办法,当然现在这个技术在提高,比如说喷墨打印机。这与有机的喷墨打印不太一样,打印的墨水实际是作为纳米材料的种子,所以在打印的时候只是关注尺寸相对之间的距离分布,而对于它的薄膜厚度的均匀性要求并不是很高。打了种子以后,很多的纳米生长都是靠在种子上来制备的,那么在这个种子上再生长纳米棒,当然这个图片的尖端做得还是不错的,说的土一点还是很尖的,如果不是很尖的话放电的电子发射的能力也是有问题的。

     

     下面有请上海中杭光电子有限公司朱雪婧,她的题目是《掩模板光栅设计减小有机物模层段差处坡度》,有请。

    福州大学康冬茹

    墨性的成功率是很高的,墨水的黏度还在探索中,我这边打印的黏度没有非常的高,大致在2到3。

    现场提问

    墨水打印的均匀性如何,或者说做实验的成功率怎么样?

    福州大学康冬茹

    我们经过测试可以看出是氧化锌,至于多晶非晶没有考虑,按照正常烧结出来的就是这样的状态。

    现场提问

    退出来的是多晶还是非晶?

    福州大学康冬茹

    会发光,它的最低电压不是非常的确定,在调节的时候,刚开始会有波动,所以这个没有确定的数值。

    现场提问

    表面的尖端发射有没有做过实验,它的电压是多少?

    福州大学康冬茹

    大家早上好,很荣幸产品这次会议。下面我将介绍一下我们的研究情况,如有不足之处请大家多包含。
        首先介绍一下研究背景,过去电视主流采用的是CRT显示原理,它具有亮度高,视角宽,色彩饱和度好。通过加热灯丝,使阴极发热,荧光屏发光,FED显示利用的是电场刺激阴极材料的电子发射到荧光粉上发光。FED跟CRT的发光原理是相似的,但是CRT它的电子源只有一个,而FED的电子数有数十万个,因此在构造上FED就可以制作得比较轻薄,并且取代了CRT的长电子发射,取代了CRT热电子发射,采用的是场电子发射,并且它的工作电压比较低,小于一千伏。FED具有CRD的优点,又具有高分辨率的优势,因此在显示领域有一定的优势。在场发射中,场发射阴极材料是一个核心技术,它要求这个材料包含数低,在强电场下要具有良好的导电和导热性能,材料使用易加工,成本低等等。CNT它的优点是导电性好、高长径比等。但缺点是易被氧化、寿命低、易团聚等。
        我们研究的是氧化锌,我们设置的是图形化技术,将氧化锌阵列及间距进行调控,使氧化锌的阴极性能会更加的好,常用的有两种工艺,一种是膜板辅助生长图形化,它需要先生长膜板,然后再沉积氧化锌,再去除膜板,这个工艺可能比较复杂,所以我们研究的是将衬底结构图形化,采用的是光刻技术和喷墨打印,光刻技术比较成熟,它通过膜板和氧化锌组成。另外一个工艺是喷墨打印,我们采用的是压电式的喷墨打印,它是在喷嘴处放一个压电陶瓷,在电压的变化下会有伸缩的特性,因此我们输入图向电压信息到压电陶瓷上,在常温常压态就可以稳定的喷出,直接在衬底上实现图形化。并且喷墨打印它的工艺操作简单,成本低,所以比较适合大面积制备。
        我们首先介绍一下光刻法制备图形化氧化锌阵列。我们采用的系氧化锌组成,将光刻交图形成后再生长,生长出氧化锌阵列,去除光刻,就可以得到图形化氧化锌阵列。这里采用的是方法是二阴极体系,阳极接钢片,阴极接钢板,电解液是水溶液,利用光化学反应,氢氧生成氧化锌,就会得到图形化氧化锌阵列。这里采用的膜板圆的阵径是三百微米,间距五十微米,生长后的阵列它的边缘会比中间长的更好,这是因为边缘效应,并且它这个方法有很多的尖端,接近性也比较好。长发性开启场强是2.15伏每微米。
        另外一项工作是喷墨打击氧化锌种子层,这里配制氧化锌墨水,我们配制出来的是比较纯清的墨水,墨水对于喷墨打印是一个非常关键的部分,因为墨水它的黏度太高会使喷射速度降低,喷射的图形就不能非常的准确,太低的话墨水会直接外滴就无法控制末端,表面张力太大,墨水不易形成细小微滴,甚至不能喷出。太小会容易不稳定,形成星状溅射点。打印氧化锌种子成采用的是通过调节计算机参数改变控制压电材料的压力,控制喷出墨滴的大小。使墨滴呈现稳定的一滴或两滴的状态再喷出。打印完后将它干燥烧结,这是我们打印好的氧化锌种子层,发现它的图象圆都非常的整齐,然后再电话电化学沉积制备,生长出氧化锌阵列,它的尖端都是朝上的,有比较多的发射点。场发射性能开启场强为1.32伏每微米,我们又将这个喷墨打印好的氧化锌种子层进行了水热法制备,这里的图形是比较完整的,生长出来的是纳米棒阵列,但是可以发现它生长得比较密集,所以有一定的场地效应。这边开启场强会比较大,4.12副3每微米。
        小结是我们采用光刻法结合电子学沉积法生长图形化氧化锌纳米枝阵列,开启场符为2.15伏每微米。操作简单,墨水是关键,在图形化氧化锌种子层上,电化学沉积法获得了图形化氧化锌纳米枝阵列,开启场强为1.32伏每微米。谢谢大家的聆听。

    主持人

    早期做EL大屏幕显示,我们所给人大会做了大屏幕显示,是用粉沫印刷的形式做成的屏幕,但是点是很粗的,后来发展到无机的薄膜电子发光,最后发展起来有机的EL。接下来有请福州大学的康冬茹,她的题目是《图形化氧化锌阵列的制备及其场发射性能研究》,有请。

    华南理工大学刘贤哲

    是的,通过不同的板材进行验证,5%以内的硅含量是不错的。开关比最高的可以达到498,保留数值在488。

    现场观众

    三个元素的比例都是变的?

    华南理工大学刘贤哲

     

    大家上午好,我是来自华南理工大学的刘贤哲,今天很高兴来到这里跟大家作出抗酸氧化物半导体的研究,我将会从背景材料和薄模气电三个方面来作出介绍。

        首先是背景,平板显示技术是基于汽车及计算机之后成为具有全球影响力的高新技术产业,因此平板显示技术将进入移动、互动和无纸办公的时代,当下的平板技术的发展,我们对平板显示提出了更高的要求,我们向大尺寸、高分贝以及高屏和低成本这些方面的发展。当下的主流显示主要是LCD显示和OLED的显示,对于我们来说有源层是直接影响到性能的影响。

        非精硅它的精率比较低,多金硅它的成本高,而我们的氧化物来说具有比较高的牵引率,低漏电压,低能耗,低沉积温度以及低成本的优点,它很好的兼容了非精硅等的缺点。所以氧化物TFT引起了我们的关注。TFT大部分采用的是底三结构,主要分为BCE无结构和ES结构,BCE结构它掩模次数会少一些,因此可以有效地降低我们的制造成本,对于我们氧化物TFT来说,要实现BCE无结构是十分困难的,以及很容易在图形化时造成TFT被沟道损伤,所以是需要一层主档层获得高性能器件。对于我们要想降低生长成本来说我们会选用BCE结构。

        接下来是材料选择,我们选择的是二氧化新体系作为我们的本体材料,因为二杨夕体系优点是成本低、抗蚀性好。缺点是载流子浓度很高,不容易控制,我们选用的是硅惨杂来调控。

        接下来是薄模特性,对于常规的二氧化锡是具有良好的非精结构,同时我们对薄模进行处理发现在450度下依然是保持非晶结构,随着温度的增加,它的薄模度也是逐步增加的,它的粗糙度呈降低的趋势。对于我们想要制备出BCE结构的晶体管来说,它的各种实验是必不可少的,我们采用了四种实验进行了研究,我们发现在25秒内电级材料已经完全干净了,而STO结构很好地保留。这个对我们成功地实现氧化物TFT跟近了一步。

        对于电极的选择,电极材料与源层的匹配,它的质量的好坏直接能够影响到TFT的性能,因此我们对比了不同材料发现末电极的函数与我们的STO函数接近,这样的话能够形成低接触电子。

        器件制备流程图可以实现了各尺寸的均匀性和精密度都是十分良好的,同时我们对器件进行了电学性能的测试,我们分别测试了饱和性能和线性性能,线学性能为高清显示驱动提供了新的显示方向。最后对于稳定性进行了测量,PBS测试的亚阈值电压变化可快速减少,在两千秒以后基本驳斥不变,说明此材料的稳定性优良不易因电学老化导致器件损伤。

        最后十分感谢各博士在实验上给予的帮助和支持,谢谢大家。

     

    主持人

    下面有请华南理工大学刘贤哲,他的题目是《硅掺杂氧化锡薄模晶体管性能研究》,有请。

    马微电子集团高级工程师楼均辉

     

    大家好,我是上海天马微电子有限公司的楼均辉,天马从2012年开始正式研发氧化物TFT,一开始的时候,应该说还很顺利,第一年我们就把TFT推行做得还可以,显示的样品也做出来了,但是我们差不多花了两到三年时间,才把TFT特性基本管控住了。换句话在这过程中我们也走了很多弯路,我们花了两到三年时间以后把TFT特性控制住,也花了一年的时间才把TFT特性调整到需要驱动一级显示的要求范围里了。下面跟大家分享一下我们碰到的问题。

        TFT主要的指标性能参数包括阈值、牵引率、开关比,对氧化物来说阈值是更重要的,因为它受到自身的影响,可能它的阈值经常会发生变化,或者说出现异常。

        这是我们采用氧化物TFT结构,这个结构是大家比较常见的。因为大家也知道对于显示屏来说,对窄边框的要求是越来越高,边框的显示屏就必须采用集成电路,整个驱动电路里,输出管是T4,所以T4是最大的管子,也是最重要的TFT。

        刚才说到氧化物TFT它很多因素受到自身和结构的影响,反过头来说我们也很容易通过自身和结构来实现它不同的特性,这张图里面我们采用三种不同的工艺制成,从而实现了它不同的TFT的阈值,我们用ABC来表示,A这个图是最负的,B会正一点,C就更正。我们把这三种管子用到显示屏里面就会收到不同的效果,A这种特性制作出来的显示屏,我们发现它会出现异常,这个异常就表现为由横纹和动脉冲,如果我们侧来它的三个输出端可以看出,A就是异常的多脉冲。B是正常工作的,假如把显示屏放到85度下面,也出现类似A的异常,它的异常也是出现横纹,我们测量数值也会发现多脉冲。C的湿温和横温都是正常的。B和C湿温下是能够正常工作的,但B是在不同温度下的特性曲线,温度升高的时候,它会发生显著的负向。在常温下都是能正常工作的TFTC都是能正常工作的,高温下氧化物TFTC的负偏压稳定性曲线是没有受到光照的影响,就是因为负值更正一些。

        总结来说,对于VSR电路行驱动的窄边框氧化物驱动的LCD显示,阈值必须调整多足够正才能保证VSR电路的正常工作,否则容易出现异常多脉冲输入不良,同时需提高氧化物在高温下光照的负偏压稳定性,以提高显示屏的可靠性。

     

    主持人

    下面有请天马微电子集团高级工程师楼均辉,他的题目是《金属氧化物TFT阈值对LCD显示屏的可靠性的影响》,掌声有请。

    北京大学王翠翠博士

    是的,所以数量也会增加很多,我们大概计算了一下,对于4K成2K的话,如果是八组的话,发光时间就会达到80%,所以我觉得应该分的组不是很多。

    现场观众

    对于分组驱动的话,比方分成N组的话,是不是有N条线。

    北京大学王翠翠博士

     

    大家好,我很容幸为大家介绍,目前a-IGZO的研究应用范围从小尺寸的手机手表到大尺寸的电视机,目前用于驱动的是三种。用来驱动AMOLED是用来区别小尺寸,主流TFT五技术是非晶态、均一性好,低成本,主要用与中小尺寸的LCD,小尺寸,分辨率也低。受于小尺寸的影响目前应用比较受限制,手机的屏都是采用这个。新兴TFT技术它的迁移率高,稳定性很高,但是均一性差,成本高。a-IGZO是用于取代的理想器件,但是它还存在负值的情况,我们还需要特别的考虑。因为TFT都存在电压的漂移,对于预制电压增大的话,会造成亮度发生变化,因此我们要想得到比较高质量的显示屏,就采用一些补偿技术。

        目前像素内的补偿技术主要分为两大类,一种是电流变成,一种是电压变成,电流变成它的精度高,变成速度慢,限制了其他际应用。电压变成的速度快,精度受提取时间的影响。根据提取方式的不同,采用二极管提取和源级跟随,二极管是采用放电的形式,它能达到最小值,就会要求这个预制电压是负值。而且用源级跟随是不受限制的,楼端对源端进行充电,直到提取它的预制电压,这样预制电压是可正可负的,它的补偿范围也会更宽,对于预制电压存在有可能是正值和负值的情况就会好一些。

        接下来详细讲一些它的工作过程,一是初始化,从低电平到高电平,通过导通的管放电,提取的过程是低电平转为高电平,就从B点和C点进行充电,导致CE两端的电压差达到要求的电压。当完成阈值之后,从高电平变成低电平,就是因为它的对比度特别高,当前数据写入的时候,T2管导通,由于C1和C2是串联的,B点的电压就会刷新到新的值,CE两端的电压也会发生新的变化,当CE进入发光的模式,这样的话由于A五点是悬空的,C两端的电压差可以保持数据学位的电压。为了验证这个点路的工作,我们进行了仿真,仿真过程中使用的TFT的模型是基于实验室所做出的,图上所示TFT的测量数据和仿真数据可以看到效果是非常理想的,因此可以验证像素电路的工作过程,需要说明的就是,虽然我们在给出来的模型中阈值电压是定值,可以通调整仿真使用的参数来调整阈值电压的大小,可以预测不同电压下的像素工作过程补偿效果,当不同阈值电压情况下的瞬态仿真效果,当阈值电压增大的时候,它的VD点的电压是变小了,这样的话TE的阈值电压是增大的。当阈值电压是负值的时候,电路依然是可以正常工作的。右侧对应的是电流的数据,可以看出当阈值电压发生变化的,这样的话就可以补偿阈值电压的变化。

        当阈值电压为正值的时候两个电路都能补偿变化,但是为负值,二极管不再补偿变化,采用的是同时发光的形式,将不存在时间,但由于它的同时发光,同时发光是当面板上所有的数据写入之后它的发光时间会压缩得很短,如果它的发光时间很短的话,它的驱动电流就相对的增大,因此我们在提出了正值前,我们所曾经提出过分组驱动的方式,这个被发表在SID的论文上。所谓采用这种分组驱动的形式,把面子上像素电路分成若干个组,然后这个同组上的像素电路完成变成以后,这样就会进行发光了,它的发光时间也会大大的改善。需要注意的是采用分组驱动它的全局控制线会相应的增加,这需要合理的设计它的分组主数。我们如果采用这种分组驱动情况下,像素电路的驱动,前两组大概是这个样子,后面可以根据这个规律写出来。

        总结来说,我们提出了基于源级跟随的3T2C像素电路及驱动程序。仿真验证了电路的工作过程及TFT和AMOLED阈值的补偿效果。对比验证了与二极管提取的阈值不同,提出的像素电路可以补偿阈值为负值的情况,它的应用范围更宽需要说明的是,如果是采用分组驱动方案下的该电路适合更高分辨率的AMOLED的显示。谢谢大家!

     

    主持人

     

    我们这个主题是TFT,在平板显示当中TFT是重要的组成部分,那么对于液晶如果要是没有TFT的话是做不了动态显示的,早年做液晶的时候,是觉得这个东西很难做动态显示,因为它的速度是不一样,那么有了TFT的技术发展以后,液晶有了显示,同样对于以后的这些平板显示技术,包括早期的PPP,包括现在的平板显示技术,都离不开TFT的技术。所以TFT技术的发展,对于平板显示技术是起着决定性作用的,那么它第一是来于材料的净化,材料不断的发展,那么第二是它的技术,制备技术的发展。比如说它攻克的精度,早年在做平板显示的时候,当然是很早了,我们那个时候是希望有一台激光设备,但那个时候可以说是天价,根本就买不起。今天所有技术的发展第一是源于材料,第二源于制备工艺技术的进展。

        下面有请北京大学王翠翠博士,她的演讲题目是《一种补偿a-IGZO  TFT负阈值电压的AMOLED像素电路》,大家有请。

     

    维信诺蔡世星

    我们这边是这样看的,ESL的氢会影响沟道本身,会让氢进入到当中。对于ESL工艺本身来讲,工艺条件是完全一样的,假如说ESL的氢少了,有一部分氢就到别的地方去了,很大的可能性是到下面的背沟道里面去了。

    现场观众

    200度的氢含量要高于210度的氢含量,但是200度是不高的。

    主持人

    大家有问题可以提问。

    维信诺蔡世星

     

    大家上午好,我是来自维信诺的蔡世星。首先介绍背景信息,非晶氧化物半导体比较普遍采用底栅极堆叠结构的器件结构,等等性能带来了它非常大的应用,主要表现在它非常适用于作为大尺寸的TV背板技术。另外一个方面是源于它的工艺温度,未来有可能是MOM最大的发展方向上有它的用武之地,具体的这边简单介绍一下它的器件结构。

        通常来讲有BCE、ESL等结构,每种结构都有它的特点,有优点也有缺点。下面主要介绍一下底栅堆叠的结构,BCE结构是完全裸露的,在后续工艺,尤其是在它图形化的过程当中,它的背部通常会受到比较大的损伤,包括其他的一些杂质元素的影响。等等原因导致这种元素的器件性能差一些,当然它的优势是非常简单,所以成本非常低。它的结构跟非晶的结构是完全一致的,假如说通过很小的改动,就可以直接把一条非晶硅的产线纳入进来。相对的另外一种对接是这边介绍的情况,最大的不同就是在后续的工艺当中来改变。

        ESL工艺温度对器件的影响和原因。首先是实践方法,器件分为六层,每一层基本上都包括成模、图形化、攻克图形化等,有部分步骤包括退步,主要是两个地方,最后是图形化之后来完成。实验过程当中在ESL工艺当中,紫色地方会有四个工艺条件,工艺条件分别是180、190、200、210,除了温度有差异之外其他的都是一样的。从最底下的山积木,通过CBD的方式来制备绝缘层,通过CBD做ESL。这边放了三张图片,原因是在最后一个最高温210摄氏度的时候,整个是导体状态。通过这三张图片来看,从180、190、200器件的特性和均匀性都是在逐步改善。重点的四个参数,从左到右基本上都是在不断的改善。

        简单来讲线上是很简单,从不同的温度来看,温度也是在不断的提升,导体也被破坏了。我们分析一下原因,从ESL的功能来讲,它的最大功能是防止工艺和外界环境对沟道层的影响,当然模质越好效果也越好。另外一个方面ESL层本身也会被沟道造成损伤,这些损伤造成杂质。主要是氢、氧、氮等等,简单来说这层模长完之后是起到保护作用的,成长的过程当中也是对器件有损伤的。而工艺温度在这两个效应当中做得是相反的,如果说在成模过程中温度越高,它本身对ESL的损伤是加剧的。模层长完之后,因为温度越高它的模质越好,保护效果也越好,所以是相反的一个作用。我们从两个角度来看,第一是模质,第二是损伤角度,模质我们通过不同的方式来看不同的状况,红色的这条线是成模速率,随着温度的升高它的速率会略有改变,蓝色的曲线是湿刻速率,随着工艺温度的增加,它的湿刻速率是极具降低的,尤其是在170到190摄氏度范围内,湿刻速度是大幅度降低,所以可以理解在这个温度区间内它的模质发生了重大的变化,当然湿刻速率越低它的温度越好。我们通过不同的温度来看,很明显可以看到在150、180这两个温度下,这个模质是非常差的,湿刻之后可以非常明显的看到它的效应,所以从这个角度来讲,低于180摄氏度的模层所起到的作用是保护的作用,可以承载很大的问题。

        另外一个我们从对工艺温度的升高,对沟道损伤的角度来进行分析,损伤很难通过直观的参数来评价,主要有四种元素,包括硅、氧、氮、氢,除了氢之外,其他的都是几乎看不到任何差别,氢是两百摄氏度的ESL,它的氢含量略微比210摄氏度高一些。大家都知道氢的影响是非常显著的,在这个过程当中除了温度之外,其他包括压力、包等等参数完全是一样的。当看到200摄氏度的氢含量略高210的氢含量,氢部分进入沟道当中,导致实验结果在的不同。

        最后总结一下,ESL沉积工艺温度对IGZO  TFT器件影响是有显著影响的。更高的ESL工艺温度,有助于得到跟高品质的ESL模层。高品质的ESL层可以有效保护器件背沟道,免受后续工艺及外界环境的影响,从而提升器件性能。过高的工艺温度将加剧ESL沉积工艺本身对器件背沟道的影响,甚至会导致器件导体的结果。以上是我的报告,谢谢大家。

     

    主持人

     

    刚才我提到了我们所是化工显示最老的单位,显示界的各种人才很多都是来自我们公司,当年在技术不断的发展当中,早年做发包显示的时候,认为液晶当时是不能做大尺寸的,随着技术的进步,液晶面已经做到了一百英寸以上,新的技术有效地解决了这个问题,那个时候视角小,现在我们也知道液晶的视角是变得很大了,几乎快达到,至少到160多以上。任何技术都是在发展过程当中的,我们不能说从一个固定的角度来看一个技术,同样的在座的也都是搞技术的,我们对于有些技术的问题,我们都要从科学的角度出发,去讲它,讨论它,比如前几年出现的LED电视,我们说LED是什么这个显示器件是LED,其实我们电视里出面的还是TFT,同样现在我们又出现了很多技术,比如说像量子点技术,有人就问这个量子点技术会怎么样,我说严格地讲不叫量子点技术,其实量子点只是提供了一个材料,量子点现有的两个应用,严格地讲应该是量子点材料在显示技术上的应用,一个是光发光,现在做背光源,有做模的,有做管的,两种方案。另外一个是它在电子发光当中的应用,它实际上也是一种材料应用,怎么说呢?结构上和有机电子发光几乎是一模一样的,所以我们历史上来说,就是液晶FCD显示,PDP显示。电子发光显示也有两种,一种是无机的,有机的是复合机理,还有一种是另外一种发光机理的显示。所以我们讨论显示的时候我们要讲发光的机理,它显示的机理,而不是说某一个技术插进去就变成了某一个显示。现在比较热门的印刷显示,印刷显示也不是一个新的概念。现在印刷的技术和材料的技术,都上去了,印刷显示今后也会成为一个迅速发展的方向,但是它并不是一个新的概念。


        下面有请蔡世星工程师,他的演讲题目是《对ESL层工艺温度影响非晶IGZO  TFT性能的研究》,有请。

     

    深圳市华星光电技术有限公司工程师夏慧

    上面这些图不同的颜色是代表它的不同的东西,颜色越偏向蓝色就说明它的应力比较小,当变型量越小的时候我们的颜色就越偏向蓝色,也就是它受到的应力越小,每一层材料进行对比我们就会发现从这个结果看出对于金属层,可以发现当有变化为0.1mpa的情况下,受到的压力变化由20%到40%,我们都知道成绩出来本身就具有一定的应力,在我们这个总变形量会引起100mpa或者几十mpa的情况下,对这个是有一定影响的。我们没有把变形量的数据放上来,但是我们的结果变形量是会有0.1左右的变形量,但总变形量有0.4mpa的情况下,有人研究过当TFT受到0.09变形的时候才会有变形变化。
        既然有这么大的压力,而且这个压力还跟总变形量相关,是不是在设计PS的时候要考虑这样一个因素。在设计的时候通常通过调液晶量来达到设计值,其实这个也跟我们的大小和灯测提示有关系。因为压强其他各层是根据其他的条件来确定。总变形量会影响PS对TFT的压力,那如果TFT受力过大就会出现变形发生变化,而我们产品里面有一些TFT是不会受到PS压迫的,而有一些是会受到PS压力的,如果这个压力对TFT造成影响的话,我们整个的显示上就会出现问题,就是PS摆的位置和PS没有摆的位置的TFT有差异,所以显示的位置就会有差异。当然我们不能让PS对TFT的压力做到没有或者很少,因为环境因素会影响核耗,低温和低压下核耗也会发生变化,所以我们必须要让PS对这个TFT有一定的丧压量,让环境在发生变化的时候,不至于起不到承压的作用。
        在不同的应力下TFT的压力会有几十mpa到一两百mpa,建议PS对TFT的应力不应超过50,但这是我们这个模型下的模拟结果,如果说你们使用的材料以及你们TFT的结构不一样,模拟得到的结果甚至会比这个大或小。也应选取适合总变形量来调整PS的高度或其他的参数。谢谢大家!

会议日程
9月21日 会议报到(时间:9:00—22:00;地点:合肥新站利港喜来登酒店大堂)
18:00—19:00 组织、程序委员会委员预备会议
19:00— 工作晚餐
9月22日 全体大会
9:00-9:05 主持人介绍与会领导和嘉宾    彩虹集团公司总经理司云聪
9:05-9:10 承办方代表致欢迎词    中国电子总经理助理,彩虹集团公司董事长、党委书记朱立锋
9:10-9:15 主办方代表致辞    中国光学光电子行业协会液晶分会理事长    王东升
9:15-9:20 国际协会SID主席致辞    国际SID主席
9:20-9:25 工业和信息化部领导致辞    工业和信息化部电子信息司领导
9:25-9:30 合肥市领导致辞    合肥市常务副市长    韩冰
学术报告(主持人:中国光学光电子行业协会液晶分会梁新清秘书长)
9:35-10:05 平板显示技术的发展动向和展望    中国科学院院士    欧阳钟灿
10:05-10:35 量子点在显示上的应用    浙江大学教授    彭笑刚
10:35-11:05 BOE大尺寸显示技术战略    京东方科技集团股份有限公司副总裁     邵喜斌
11:05-11:35 先进的AMOLED氧化物背板技术    韩国庆熙大学教授    张震
11:35-12:05 夏普触控屏的前沿技术    夏普电子设备事业本部要素技术开发中心副所长    宫本雅之
12:05-12:35 基板玻璃的新技术和彩虹的发展战略    彩虹集团公司总经理助理杨国洪
12:35-14:00 午餐、休息
14:00-14:30 有机发光显示技术的机会和挑战    华星光电技术有限公司研发中心资深总监    陈鼎国
14:30-15:00 柔性显示的技术发展    台湾工研院影像中心主任程章林
15:00-15:30 光取向材料的最新发展    香港科技大学教授    郭海成
15:30-16:00 天马中小尺寸显示发展战略    天马微电子股份有限公司副总裁    马骏
16:00-16:30 有机发光显示技术的新进展    清华大学副教授    段炼
16:30-17:00 高分辨率面板技术发展    中电熊猫液晶显示科技有限公司副总经理    朱弘仁
17:00-17:30 基于液晶的真三维显示    上海交通大学助理研究员    李燕
17:30-17:45 国家新型显示产业基地简要介绍    合肥新站高新技术产业开发区
17:45-19:00 嘉宾访谈
19:00 欢迎宴会(特邀嘉宾)
9月23日 分组报告(9:00-12:00、午餐(休息)、13:30-16:30)
第一组 TFT器件及相关技术
第二组 OLED器件和技术
第三组 材料和装备
第四组 新型显示及触控技术
9月24日 参观活动
9:00—11:00 参观(彩虹、BOE、新站区)
会议讲师

 

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