日刊工业新闻7日报导 ，为了提高3D架构的NAND型闪存(Flash Memory)产能、以因应三星电子等竞争对手加快扩产脚步，东芝(Toshiba)将进一步祭出增产投资，计划在日本岩手县北上市兴建新工厂，该座新厂预计于2018年度动工、 2021年度启用，总投资额将达1兆日圆的规模。 东芝目前已在四日市工厂厂区内兴建3D NAND专用厂房「第6厂房」。
该座3D NAND新工厂兴建计划由东芝半导体事业子公司「东芝内存(Toshiba Memory Corporation、以下简称TMC)」负责策画，而东芝是在说明上述新厂兴建计划后才进行TMC的招标作业，因此即便之后TMC易主、预估新厂兴建计划仍将持续。
报导指出，东芝因TMC出售案一事和合作伙伴Western Digital(WD)闹翻、对立情势加剧，因此上述新厂能否如之前一样和WD分担投资额仍旧不明，不过因TMC恐难于单独进行巨额投资，故若无法和WD达成和解的话，恐必须重新思考合作策略、寻找新投资伙伴。
东芝3日宣布，关于目前已在四日市工厂厂区内兴建的3D NAND专用厂房「第6厂房」投资案，因和WD子公司SanDisk未能获得共识、协商破裂，故所需的设备投资金额将由TMC单独负担，且为了因应内存需求扩大，故投资金额将从原先规划的1,800亿日圆加码至约1,950亿日圆。 东芝指出，计划在2018年度将3D架构产品的产量比重提高至约90%。
路透社、美联社等多家外电报导，三星7月4日宣布，至2021年为止，要对位于平泽市的NAND型闪存厂房投入14.4兆韩圜，并对华城市新建的半导体生产线投入6兆韩圜。 位于中国西安的NAND生产基地也会多盖一条生产线，但投资金额和时间表还未定。
内存业者大手笔投资，让IC Insights忧心忡忡。 该机构7月18日称，内存以往市况显示，过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。 未来几年三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝/SanDisk、武汉新芯(XMC)/长江存储(Yangtze River Storage)都大举提高3D NAND flash产能，未来可能还有中国新业者加入战场，3D NAND flash产能过多的可能性「非常高」。
