6月23日上午，总投资160亿元的湖南三安半导体基地一期项目正式点亮投产，将打造国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，可月产3万片6英寸碳化硅晶圆。这是国内LED芯片龙头三安光电向第三代半导体领域扩张的重要一步。
湖南三安半导体基地位于长沙高新产业园区内，规划用地面积约1000亩，2020年7月破土动工。如今历时不到一年，一座从碳化硅晶体生长到功率器件封测的全产业链现代化生产基地即落成投产，见证了三安速度。
点亮仪式上，三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯表示，湖南三安半导体的业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节，打造了国内第一条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，能为客户提供高品质准时交付产品的同时，兼具大规模生产的成本优势。
据悉，湖南三安半导体基地全部建成达产后，预计将实现年销售额120亿元，年贡献税收17亿元，将促进第三代半导体行业加快发展，带动周边配套产业近万个就业机会。
立足华中，服务全球，加速电源变换领域普及宽禁带半导体。第三代半导体材料具有优越的电气性能，可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频的新要求。湖南三安半导体通过大规模生产，以及自有碳化硅材料制备专利，可以广泛应用于通信、服务器电源、光伏、新能源汽车主驱逆变器、车载充电机和充电桩、智能电网、轨道交通等领域，共同实现宽禁带半导体器件的普及。
打造研发制造服务平台型公司，支持高新产业在湘开枝散叶。受益于电动车、光伏等第三代半导体电力电子器件市场规模快速增长，全球碳化硅衬底、器件厂商对碳化硅市场预期积极。湖南三安半导体是中国首条碳化硅垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成以长沙高新园区为中心的宽禁带半导体产业聚落，加速上游IC设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期，推动产业链繁荣发展。
三安光电表示，用材料创新推动技术变革，助力碳中和愿景达成。在迈向碳中和的道路上，人们需要更高效的清洁能源。第三代半导体材料以其优异电性能特性，帮助电源变换系统实现优异的功率密度和卓越的系统效率，使其在新能源汽车、光储充等场景中发挥关键作用。作为三安光电坚持的长期可持续发展战略的一部分，公司会持续投入加速产业布局，致力于化合物半导体集成电路业务的发展，努力打造具有国际竞争力的半导体制造和服务平台。
