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江丰电子16.5亿元募资申请获受理,将投建半导体靶材等项目

   2022-04-08 公告、集微网3330
核心提示:3月31日,宁波江丰电子材料股份有限公司(以下简称“江丰电子”)拟“向特定对象发行股票并在创业板上市募集资金投资项目”申请获深圳证券交易所受理。

3月31日,宁波江丰电子材料股份有限公司(以下简称“江丰电子”)拟“向特定对象发行股票并在创业板上市募集资金投资项目”申请获深圳证券交易所受理。

据了解,江丰电子自成立以来专注于高纯溅射靶材的研发、生产和销售业务,主要产品为全系列的高纯金属溅射靶材,包括铝靶、钛靶、钽靶、铜靶等。公司靶材产品主要应用于包括半导体、平板显示、太阳能电池等领域。公司主营业务为高纯溅射靶材的研发、生产和销售,主要产品为各种高纯溅射靶材,包括铝靶、钛靶、钽靶和铜靶等,这些产品主要应用于超大规模集成电路芯片、液晶面板、薄膜太阳能电池制造的物理气相沉积(PVD)工艺,用于制备电子薄膜材料。

目前,江丰电子产品主要应用于半导体、平板显示器及太阳能电池等领域。在超大规模集成电路用高纯金属靶材领域,公司成功打破美国、日本跨国公司的垄断格局,填补了国内电子材料行业的空白。

在铝靶板块,高纯铝及铝合金是目前使用最为广泛的导电层薄膜材料之一。在其应用领域中,超大规模集成电路芯片的制造对溅射靶材金属纯度的要求最高,通常要求达到99.9995%(5N5)以上,平板显示器、太阳能电池用铝靶的金属纯度略低,分别要求达到99.999%(5N)、99.995%(4N5)以上。目前,江丰电子生产的铝靶已经广泛应用于半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等领域。

钛靶及钛环板块,在超大规模集成电路芯片中,钛是较为最为常用的阻挡层薄膜材料之一(相应的导电层薄膜材料为铝)。在先端芯片制造工艺中,钛环件要与钛靶配套使用,其主要功用是辅助钛靶完成溅射过程。目前,江丰电子生产的钛靶、钛环主要应用于超大规模集成电路芯片制造领域。

在钽靶及钽环板块,在最尖端的超大规模集成电路芯片中,钽是阻挡层薄膜材料之一(相应的导电层薄膜材料为铜)。钽作为阻挡层通常用于90纳米以下技术节点的先端芯片中,所以钽靶及其环件是制造技术难度较高、品质保证要求较严的靶材产品,之前也仅有美国和日本的少数几家跨国公司(即霍尼韦尔、日矿金属、东曹、普莱克斯等)能够生产。随着国际市场对智能手机、平板电脑等消费类电子产品需求量的爆炸式增长,高端芯片的需求大幅增加,钽靶的需求量也大幅增长。除钽靶外,江丰电子还生产钽环,其主要作用是辅助钽靶完成溅射过程。目前江丰电子生产的钽靶及钽环组件主要用于超大规模集成电路领域。

在铜靶、铜环及铜阳极板块,高纯铜及铜合金是目前使用最为广泛的导电层薄膜材料之一。在其应用领域中,超大规模集成电路芯片的制造对溅射靶材金属纯度的要求最高,通常要求达到99.9999%(6N)以上,平板显示器、太阳能电池用铜靶的金属纯度略低,分别要求达到99.999%(5N)、99.995%(4N5)以上。铜及铜合金作为导电层通常用于90纳米以下技术节点的先端芯片中。目前,公司生产的铜及铜合金靶主要用于超大规模集成电路芯片和平板显示器制造领域。

本次募资额16.5亿元(含本数),将投建半导体靶材等项目

本次在考虑从募集资金总额中扣除150万元的财务性投资因素后,向特定对象发行股票的募集资金总额将调减至不超过165,000万元(含本数),扣除发行费用后拟将全部用于以下项目:

江丰电子表示,公司自成立以来一直从事高纯溅射靶材的研发、生产和销售业务,主要产品为高纯溅射靶材,主要应用于包括半导体、平板显示、太阳能电池等领域。公司本次发行募集资金投向的产能建设项目全部围绕公司现有主营业务中半导体领域高纯溅射靶材扩产展开,是公司为顺应产业发展趋势、满足下游客户日益扩张的产品需求、推进靶材国产替代而做出的重要布局,有利于突破产能瓶颈,扩大业务规模,提升研发实力,巩固公司的市场地位,促进公司可持续发展。公司前次募集资金主要投向公司主营业务中平板显示领域高纯溅射靶材及机台零部件,与本次募集资金投向项目的产品及其下游应用领域不同,不存在重复建设的情形。

本次募集资金投资项目的具体情况:

(一)宁波江丰电子年产5.2万个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶材产业化项目

建设地点:浙江省宁波市余姚市低塘街道历石线西侧

建设内容:本项目总投资额为100,867.12万元,拟使用募集资金78,139.00万元。本项目将建设公司在浙江余姚的第二个生产基地,进一步提高公司集成电路用高纯铝靶材、高纯钛靶材及环件、高纯钽靶材及环件等主要产品规模化生产能力。

(二)浙江海宁年产1.8万个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶材产业化项目

建设地点:浙江省嘉兴市海宁市尖山新区凤凰路东侧、杭州湾大道南侧

建设内容:本项目总投资额为40,783.18万元,拟使用募集资金31,696.10万元。本项目将建设公司在浙江海宁的生产基地,进一步提高公司集成电路用高纯铜靶材及环件、铜阳极等主要产品规模化生产能力。

(三)宁波江丰电子半导体材料研发中心建设项目

建设地点:浙江省宁波市余姚市低塘街道历石线西侧

建设内容:本项目总投资额为7,192.60万元,拟使用募集资金7,192.60万元。本项目将建设公司的研发中心,进一步提升公司的技术实力和产品的国际竞争力。

 
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