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华为EUV光刻新专利公开

   2022-11-21 5860
核心提示:11月21日消息,华为在上周公布的新专利将应用于极紫外光刻技术 (EUV) ,对于未来光刻技术乃至于先进制程有着重要意义。具体来看,该新专利展示了一种《反射镜、光刻装置及其控制方法》,而这种方法便能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题,在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化,进而达到匀光的目的。

11月21日消息,华为在上周公布的新专利将应用于极紫外光刻技术 (EUV) ,对于未来光刻技术乃至于先进制程有着重要意义。具体来看,该新专利展示了一种《反射镜、光刻装置及其控制方法》,而这种方法便能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题,在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化,进而达到匀光的目的。

据介绍,EUV作为7nm及更先进制程芯片的基础,EUV是下一代光刻技术(<32nm节点的光刻技术),它采用波长为13.4nm的软x射线进行光刻的技术。全球半导体制造龙头台积电、三星、英特尔纷纷扩大EUV光刻机资本开支,积极扩充7nm以下先进产能。

 
标签: 华为 EUV光刻 专利
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