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曝三星Exynos2400芯片良率达60% 一年多前仅25%

   2024-02-06 IT之家18390
核心提示:@Tech_Reve表示,三星Exynos2400采用的4LPP+工艺目前良率约为60%,虽然比不上竞争对手(台积电N4P据说约为70%),但已经远超一年多之前的自己。

@Tech_Reve表示,三星Exynos2400采用的4LPP+工艺目前良率约为60%,虽然比不上竞争对手(台积电N4P据说约为70%),但已经远超一年多之前的自己。

值得一提的是,Exynos2400是三星首款采用“扇出晶圆级封装”(FOWLP)的智能手机芯片组。三星声称,使用FOWLP技术可将耐热性提高23%,从而使多核性能提高8%,因此Exynos2400在最新的3DMarkWildLife极限压力测试结果中表现不俗。

上个月,Chosun称三星电子代工厂已开始针对其第二代3nm级工艺SF3进行试生产。据报道,该公司计划在未来六个月内将良率提高至60%以上。

消息人士称,三星正在测试SF3节点上制造的芯片的性能和可靠性;首个采用三星SF3工艺的芯片预计将会是专为可穿戴设备设计的应用处理器,计划用于今年晚些时候发布的GalaxyWatch7等产品。

三星此前表示,计划在2024年下半年开始大规模量产SF3芯片;2023-2024年将以3nm生产为主,即SF3(3GAP)及其改进版本SF3P(3GAP+),而且该公司还计划于2025-2026年开始推出其2nm节点。

据三星介绍,SF3节点可以在同一单元内实现不同的环绕栅(GAA)晶体管纳米片通道宽度,从而提供更高的设计灵活性。这也能够为芯片带来更低的功耗和更高的性能,并通过优化设计来增加晶体管密度。

TrendForce数据显示,台积电去年第三季度占据了全球晶圆代工市场57.9%的份额。三星电子以12.4%的份额位居第二,两家公司之间的差距超过40个百分点。


 
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