清溢光电：佛山生产基地项目将适时考虑引入电子束光刻机

10月19日消息，清溢光电在接受机构调研时表示，半导体芯片掩膜版技术方面，公司已实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证及量产，同步开展130nm-65nm半导体芯片掩膜版的工艺研发和28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划。

半导体掩膜版业务方面，公司目前已拥有业内先进的激光光刻机，CD精度可达到130nm掩膜版的要求。佛山生产基地项目拟引入的光刻设备将不限于激光光刻机，也将适时考虑引入电子束光刻机。

公告显示，清溢光电佛山生产基地项目总投资人民币35亿元，包括“高精度掩膜版生产基地建设项目”和“高端半导体掩膜版生产基地建设项目”，项目情情况如下：

项目一：高精度掩膜版生产基地建设项目 

投资金额：本项目将分三期进行建设，合计拟投资人民币20亿元，其中一期拟投资8亿元；二期拟投资3亿元，三期拟投资9亿元。 

项目建设情况：一期、二期项目拟购置土地50亩（具体面积以最终挂牌面积为 准），自签订《土地出让合同》之月起，在12个月内开工建设、36个月内投产。三期 项目将根据宏观环境、市场趋势等情况综合确定及推进。 

项目二：高端半导体掩膜版生产基地建设项目

投资金额：本项目将分三期建设，合计拟投资人民币15亿元，其中一期拟投资6.05亿元，二期拟投资2.95亿元，三期拟投资6亿元。 

项目建设情况：一期、二期项目拟购置土地30亩（具体面积以最终挂牌面积为 准），自签订《土地出让合同》之月起，在12个月内开工建设、36个月内投产。三期 项目将根据宏观环境、市场趋势等情况综合确定及推进。

2023年上半年，清溢光电营业收入较上年同期增长7,554.60万元，同比增长22.10%， 主要系厂商加大新品开发的力度，带动了掩膜版的需求增长，公司接受的订单数量有提升。