据韩媒《朝鲜日报》引述行业消息人士的说法，三星电子已经开始制造第二代3纳米制程（SF3）的试制品，并对这些芯片的性能和可靠性进行测试。该公司设定的目标是在六个月内将良率提升至60%以上。
台积电和三星都在积极争夺客户，准备在今年上半年开始量产第二代3纳米环绕栅（GAA）架构制程。能否满足Nvidia、高通、AMD等大型客户的需求，以及能否迅速提高产量，将是决定竞争成败的关键因素。
三星目前正在对SF3试制芯片进行性能和可靠性测试，首款搭载该芯片的产品将是即将推出的Galaxy Watch 7应用处理器（AP），预计明年还将用于Galaxy S25系列的Exynos 2500芯片。
如果SF3的产量和性能能够保持稳定，那么原本转向台积电的客户可能会有机会回流。例如，三星对与高通的合作非常关注，后者在新一代Snapdragon 8 Gen 3中与台积电合作生产。此外，Nvidia的H200、B100和AMD的MI300X预计将采用台积电的3纳米制程。
三星在去年11月宣布，计划于2024年下半年开始量产SF3制程。尽管《朝鲜日报》的报道未得到三星的回应，但从时间线来看，这一预测相当合理。然而，报道提到了芯片良率达到60%，但没有提及晶体管数量、芯片尺寸、性能、功耗以及其他规格。
此外，智能手表应用处理器、手机芯片和数据中心处理器在芯片尺寸、性能和功耗方面的目标完全不同。对于小型芯片来说，如果良率仅为60%，商用将面临相当大的困难。然而，如果是光罩尺寸（reticle size）的芯片良率达到60%，则是相对合理的。
鉴于三星晶圆代工厂的SF3产量目标存在诸多不确定性，我们应谨慎对待这篇报道。然而，SF3的投产无疑是对三星乃至整个半导体行业的重大事件。