@Tech_Reve表示，三星Exynos2400采用的4LPP+工艺目前良率约为60%，虽然比不上竞争对手（台积电N4P据说约为70%），但已经远超一年多之前的自己。
值得一提的是，Exynos2400是三星首款采用“扇出晶圆级封装”（FOWLP）的智能手机芯片组。三星声称，使用FOWLP技术可将耐热性提高23%，从而使多核性能提高8%，因此Exynos2400在最新的3DMarkWildLife极限压力测试结果中表现不俗。
上个月，Chosun称三星电子代工厂已开始针对其第二代3nm级工艺SF3进行试生产。据报道，该公司计划在未来六个月内将良率提高至60%以上。
消息人士称，三星正在测试SF3节点上制造的芯片的性能和可靠性；首个采用三星SF3工艺的芯片预计将会是专为可穿戴设备设计的应用处理器，计划用于今年晚些时候发布的GalaxyWatch7等产品。
三星此前表示，计划在2024年下半年开始大规模量产SF3芯片；2023-2024年将以3nm生产为主，即SF3(3GAP)及其改进版本SF3P(3GAP+)，而且该公司还计划于2025-2026年开始推出其2nm节点。
据三星介绍，SF3节点可以在同一单元内实现不同的环绕栅（GAA）晶体管纳米片通道宽度，从而提供更高的设计灵活性。这也能够为芯片带来更低的功耗和更高的性能，并通过优化设计来增加晶体管密度。
TrendForce数据显示，台积电去年第三季度占据了全球晶圆代工市场57.9%的份额。三星电子以12.4%的份额位居第二，两家公司之间的差距超过40个百分点。