7月1日，韩国三星先进技术研究院与首尔国立大学的联合研究团队在国际学术期刊《NATURE》（自然）发表最新MicroLED研究成果，其成功研发出直径1.5微米的高效红光InGaN基MicroLED，峰值外量子效率（EQE）达6.5%，峰值波长649nm，且具备柔性特性，可突破AR、VR等元宇宙设备微型化、高清化显示的关键瓶颈。
具有不同ALD钝化层的红光纳米LED的光致发光（PL）和电致发光（EL）（图片来源：NATURE）
研究团队采用1nm厚的外延氮化铝（AlN）钝化层技术，通过氩等离子体辅助原子层沉积（ALD）工艺，在MicroLED侧壁形成单晶AlN薄膜。这种超薄钝化层能有效减少非辐射复合，解决了传统红光MicroLED因尺寸缩小（<5微米）导致的效率骤降问题。对比实验显示，该技术使光致发光强度提升2.5倍，发光衰减时间延长4倍，远超传统二氧化铪（HfO₂）或三氧化二铝（Al₂O₃）钝化层的性能。
而为实现Micro LED柔性显示，研发团队将MicroLED阵列倒装键合到聚酰亚胺（PI）基板，通过控制界面附着力实现硅衬底无剥离移除，最终获得厚度不足20μm的柔性器件。测试结果表明，这种柔性红光MicroLED在弯曲状态下仍保持稳定发光，亮度均匀性良好。
柔性e-AlN钝化红色Micro LED的器件转移（图片来源：NATURE）