据外媒报道，三星已经宣布，其3nm制程技术已经正式流片。据介绍，三星的3nm制程采用的是GAA架构，性能优于台积电的3nm FinFET架构。
报道称，三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成的，目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的3nm制程采用的GAA结构不同于台积电或英特尔的FinFET架构，三星需要新设计和认证工具，因此，采用了新思科技的Fusion Design Platform。
在技术性能上，GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下，GAA的沟道控制能力得以强化，借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。
此次流片是由Synopsys和三星代工厂合作完成的。此前，三星曾在2020年完成3nm工艺的开发，但开发成功并不意味着产品最终进入量产的时间可以确定。如今伴随着此次成功流片，三星3nm芯片大规模量产的时间节点已经正式临近。
