中国半导体先进制程速度放缓，落后国外至少2～3代

5月10日消息，由于受到美国制裁冲击，中国半导体先进制程发展速度趋缓。据日经采访7 家中国主要半导体设备制造商，大多数表示目前中国大陆主要生产14~28nm芯片，落后国外至少2~3 代。

日经于今年3月在中国国际半导体展上访问多家半导体公司，主要获得7 家公司回覆；大多受访者表示，中国半导体先进芯片制程速度已放缓，也表示美国制裁阻碍他们从国外采购零件和材料，但用国内产品替代又会降低成品良率。

上海微电子（SMEE）工程师表示，“我们的主要光刻机是用于90nm，而28nm和14nm在良率方面仍有改善空间。”这家公司是中国唯一商用光刻机制造商。

虽然光刻机相当难生产，但全球最大制造商艾司摩尔（ASML）预计将推出可用于3nm和2nm芯片制造的光刻机。

精于蚀刻技术的中微半导体设备公司（AMEC）的一位研究人员表示，公司有提供5nm制程所需刻蚀机，但主要还是卖用于14nm和28nm制程的刻蚀机。

另一家负责蚀刻技术的制造商Beijing E-Town，主要生产40nm和28nm制程所需的相关设备。该公司员工指出，由于中国打算增加国产半导体的比例，即使是通用半导体设备，也有强劲需求。

从访谈结果来看，只有中微半导体成功开发用于5nm制程所需的设备，其他公司都在生产14nm或成熟制程所需的设备。此外，芯片荒席卷全球，中国也受到冲击，但美国制裁恐让情况恶化。

上海微电子工程师直言，“当我们无法获得核心部件时，产品开发将遇到问题”；沈阳芯源（Kingsemi）员工指出，过去几年很难从国外引进技术，只能自己寻找解决方案。

半导体零组件、材料和制造设备短缺，进一步影响半导体晶圆代工的表现。根据中芯国际的2020 年第4 季财报来看，14nm和28nm芯片从第三季14.6% 急剧降至5%，主因是受到美国制裁。

美国半导体研究公司IC Insights 预估，中国半导体自给率到2025 年为19.4%；这一比例当中有超过一半以上由中国台湾台积电、韩国三星电子和SK海力士等海外芯片制造商贡献，若自给自足比例仅涉及中国大陆制造商，则预估只有10% 。